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我国自研NVMe固态硬盘主控重大突破;读取超3000MB/s

来源:网络整理 热度:℃ 时间:01-09
摘要:业界期待这颗中国芯能早日量产, 进入产业链,为市场和消费者带来更丰富的高性能选择!

  相关媒体报道,我国自研PCIe(NVMe)固态硬盘主控芯片性能指标已获得实质性技术突破,从实测性能看已经超过国外同类PCIe主控性能指标,主控性能爆棚。据了解2019年1月美国CES展会期间,该国产PCIe固态硬盘主控芯片将随国际知名SSD品牌厂商同台展出,并正式对外发布。

  在性能方面,PCIe(NVMe)固态硬盘主控芯片为1TB版本,连续读取性能3375MB/s,连续写入高达2675MB/s,随机读写性能最高可到达687KIOPS、431KIOPS,而且还在不断的优化中,最终性能会更好。

  此外。该国产主控合作伙伴评测原型板 主控的容量适配,也是一个市场的关注点,同样也是技术上的重点,我爱存储网得知该国产PCIe固态硬盘主控芯片目前已经完成256G、512G、1TB、2TB四种容量固件开发,4TB版本固件也将会推出。

  业界人士认为,目前国产SATA主控芯片已经有多家大规模量产。但在PCIE(NVME)上目前还有缺口。一旦该国产PCIE(NVME)主控芯片大规模量产,将会驱动国内相关产业链一起升级,形成”技术——产品——营销”的新体系,业界期待这颗中国芯能早日量产, 进入产业链,为市场和消费者带来更丰富的高性能选择!